पेकिंग यूनिवर्सिटी टीम ने 650V Si-आधारित GaN हाई-वोल्टेज एकीकृत चिप विकसित की है

पेकिंग विश्वविद्यालय की शोध टीम ने नवीन वर्चुअल आइसोलेशन तकनीक के माध्यम से 650V Si-आधारित GaN हाई-वोल्टेज एकीकृत चिप सफलतापूर्वक विकसित की है। यह तकनीक उच्च-वोल्टेज संकेतों के क्रॉसस्टॉक प्रभाव और पी-चैनल ट्रांजिस्टर की कम वर्तमान घनत्व समस्या को प्रभावी ढंग से हल करती है।