Tim Universitas Peking mengembangkan chip terintegrasi tegangan tinggi GaN berbasis 650V Si

Tim peneliti Universitas Peking berhasil mengembangkan chip terintegrasi tegangan tinggi GaN berbasis 650V Si melalui teknologi isolasi virtual yang inovatif. Teknologi ini secara efektif memecahkan efek crosstalk dari sinyal tegangan tinggi dan masalah kepadatan arus rendah pada transistor saluran-p.