تیم دانشگاه پکن تراشه یکپارچه ولتاژ بالا GaN مبتنی بر 650 ولت Si را توسعه می دهد

تیم تحقیقاتی دانشگاه پکن با موفقیت یک تراشه یکپارچه ولتاژ بالا GaN مبتنی بر 650 ولت Si را از طریق فناوری نوآورانه جداسازی مجازی توسعه داد. این فناوری به طور موثر اثر تداخل سیگنال های ولتاژ بالا و مشکل چگالی جریان پایین ترانزیستورهای کانال p را حل می کند.