Pekin Universitetinin komandası 650V Si əsaslı GaN yüksək gərginlikli inteqrasiya çipi hazırlayır
Pekin Universiteti
qalium nitridi
650V
Pekin
şəkil
çip
virtual
şəkil
dil
tranzistor
izolyasiya
tədqiqat
yük
yük
iz
iz
kanal
əsas
il
2024-12-25 20:22
0
Pekin Universitetinin tədqiqat qrupu innovativ virtual izolyasiya texnologiyası vasitəsilə 650V Si əsaslı GaN yüksək gərginlikli inteqrasiya edilmiş çipi uğurla inkişaf etdirdi. Bu texnologiya yüksək gərginlikli siqnalların çarpaz təsirini və p-kanallı tranzistorların aşağı cərəyan sıxlığı problemini effektiv şəkildə həll edir.
