Equipo Universidad de Pekín omoheñói chip integrado GaN alta tensión 650V Si-pe

Ko equipo de investigación Universidad de Pekín omoheñói porã peteî chip integrado alta tensión GaN basado Si 650V tecnología aislamiento virtual ipyahúva rupive. Ko tecnología osoluciona efectivamente efecto diafonía umi señal alta tensión ha problema baja densidad de corriente umi transistor canal p.