北京大学の研究チームは、GaNベースのパワーデバイスの3つの主要な技術的課題の突破に成功しました。

北京大学集積回路学部と物理学部の研究チームは、GaN ベースのパワーデバイスの研究において大きな進歩を遂げました。彼らは、周波数ボトルネック、信頼性ボトルネック、耐電圧ボトルネックという 3 つの主要な技術課題を解決することに成功し、国際電子デバイス会議で 5 つのハイレベルな論文を発表しました。