Изследователският екип на Пекинския университет успешно преодолява три основни технически предизвикателства на базираните на GaN захранващи устройства

Изследователски екипи от Училището по интегрални схеми и Училището по физика на Пекинския университет направиха големи пробиви в изследванията на базирани на GaN захранващи устройства. Те успешно разрешиха трите основни технически предизвикателства на честотното тясно място, тясното място на надеждността и тесното място на издържаното напрежение и публикуваха пет доклада на високо ниво на международни конференции за електронни устройства.