Výzkumný tým Pekingské univerzity úspěšně prolomil tři hlavní technické výzvy energetických zařízení na bázi GaN

Výzkumné týmy ze School of Integrated Circuits a School of Physics of Peking University učinily zásadní průlom ve výzkumu energetických zařízení na bázi GaN. Úspěšně vyřešili tři hlavní technické problémy, kterými jsou frekvenční úzké místo, úzké místo spolehlivosti a napěťové úzké místo, a publikovali pět článků na vysoké úrovni na mezinárodních konferencích o elektronických zařízeních.