گروه GAC اعلام کرد که پروژه IGBT نیمه هادی گوانگژو Qinglan به مرحله تولید رسیده است

گروه GAC اخیراً اعلام کرد که پروژه IGBT (فاز I) شرکت نیمه هادی گوانگژو Qinglan به مرحله تولید رسیده است. این پروژه به طور مشترک توسط GAC Components و Zhuzhou CRRC Times Semiconductor سرمایه گذاری و تأسیس شده است. ظرفیت تولید برنامه ریزی شده در فاز اول تولید 400000 ماژول IGBT خودرو در سال است.