Micron lëshon memorie HBM3E të grumbulluar me 8 shtresa me kapacitet 24 GB

Micron planifikon të fillojë dërgimin e memories HBM3E me kapacitet 24 GB me 8 shtresa në tremujorin e dytë të 2024. E projektuar posaçërisht për llogaritje me performancë të lartë dhe përpunim grafik, kjo memorie përmban gjerësi të lartë brezi, vonesë të ulët dhe konsum të ulët të energjisë.