Micron melancarkan memori HBM3E berkapasiti 24GB bertindan 8 lapisan

Micron merancang untuk mula menghantar memori HBM3E berkapasiti 24GB bertindan 8 lapisan pada suku kedua 2024. Direka khusus untuk pengkomputeran berprestasi tinggi dan pemprosesan grafik, memori ini menampilkan lebar jalur yang tinggi, kependaman rendah dan penggunaan kuasa yang rendah.