Ji HuahhengyiはSiCおよびその他の分野の半導体装置の産業化に注力するシリーズA資金調達を完了

Jihua Hengyi (Foshan) Semiconductor Technology Co., Ltd.は、Youshan Capitalが主導するシリーズA資金調達の完了を発表した。同社はワイドバンドギャップ半導体や新エネルギー分野の半導体装置の産業化に注力し、高歩留まりと安定生産の要求を満たすSiC高温エピタキシャル成長装置の開発に取り組んでいる。