Samsung prévoit de commencer à produire de la DRAM 10 nm de sixième génération dans l'usine P4 de Pyeongtaek début 2025.

Samsung prévoit d'introduire des équipements semi-conducteurs centrés sur l'usine P4 de Pyeongtaek au début de 2025, de commencer à produire des DRAM de sixième génération de 10 nm et d'accélérer le rythme d'amélioration du rendement. L'objectif est d'obtenir la certification interne de production de masse (PRA) d'ici mai de l'année prochaine.