Samsung aikoo aloittaa 10 nanometrin kuudennen sukupolven DRAM-muistin tuotannon Pyeongtaek P4 -tehtaalla vuoden 2025 alussa

Samsung aikoo tuoda markkinoille Pyeongtaek P4 -tehtaalle keskittyvät puolijohdelaitteet vuoden 2025 alussa, aloittaa 10 nm:n kuudennen sukupolven DRAM-muistin tuotannon ja nopeuttaa tuoton parantamista. Tavoitteena on saada sisäinen massatuotantosertifikaatti (PRA) ensi vuoden toukokuuhun mennessä.