Samsung planuje rozpocząć produkcję 10 nm pamięci DRAM szóstej generacji w fabryce Pyeongtaek P4 na początku 2025 roku

Samsung planuje wprowadzić sprzęt półprzewodnikowy w fabryce Pyeongtaek P4 na początku 2025 r., rozpocząć produkcję 10 nm pamięci DRAM szóstej generacji i przyspieszyć tempo poprawy wydajności. Celem jest uzyskanie wewnętrznego certyfikatu produkcji masowej (PRA) do maja przyszłego roku.