Zhejiang Huzhou stellt ein 1-Milliarden-SiC-Projekt vor

Kürzlich unterzeichneten die Zhejiang Huzhou Nantaihu Technology Venture Capital Group und SourceMicroelectronics erfolgreich eine SiC-Projektinvestitionsvereinbarung mit einem Gesamtinvestitionsbetrag von 1 Milliarde Yuan. Das Projekt zielt darauf ab, eine Produktionsbasis für Chips in Automobilqualität mit einer jährlichen Produktion von 2 Milliarden Einheiten und ein Forschungsinstitut für Siliziumkarbid-Chips in Automobilqualität aufzubauen. Es wird erwartet, dass der jährliche Produktionswert nach vollständiger Inbetriebnahme etwa 1,8 Milliarden Yuan erreichen wird.