Zhejiang Huzhou féiert 1 Milliarde SiC Projet vir

Viru kuerzem hunn Zhejiang Huzhou Nantaihu Technology Venture Capital Group a SourceMicroelectronics erfollegräich e SiC Projet Investitiounsofkommes ënnerschriwwen, mat dem Gesamtinvestitiounsbetrag op 1 Milliard Yuan. De Projet zielt fir eng Produktiounsbasis fir Automotive-Grad Chips mat engem jährlechen Output vun 2 Milliarden Eenheeten an e Siliziumcarbid Automotive-Grad Chip Fuerschungsinstitut ze etabléieren. Et gëtt erwaart datt nodeems se komplett a Produktioun gesat ass, den alljährlechen Ausgangswäert ongeféier 1,8 Milliarde Yuan erreecht.