Η Zhejiang Huzhou παρουσιάζει έργο 1 δισεκατομμυρίου SiC

Πρόσφατα, η Zhejiang Huzhou Nantaihu Technology Venture Capital Group και η SourceMicroelectronics υπέγραψαν με επιτυχία μια επενδυτική συμφωνία έργου SiC, με το συνολικό ποσό επένδυσης να φτάνει το 1 δισεκατομμύριο γιουάν. Το έργο στοχεύει να δημιουργήσει μια βάση παραγωγής για τσιπ ποιότητας αυτοκινήτου με ετήσια παραγωγή 2 δισεκατομμυρίων μονάδων και ένα ερευνητικό ινστιτούτο τσιπ αυτοκινητοβιομηχανίας καρβιδίου του πυριτίου. Αναμένεται ότι αφού τεθεί πλήρως σε παραγωγή, η ετήσια αξία παραγωγής θα φτάσει περίπου τα 1,8 δισεκατομμύρια γιουάν.