Чжэцзян Хучжоу представляет проект SiC стоимостью 1 миллиард

Недавно Zhejiang Huzhou Nantaihu Technology Venture Capital Group и SourceMicroelectronics успешно подписали инвестиционное соглашение по проекту SiC, общий объем инвестиций достиг 1 миллиарда юаней. Целью проекта является создание производственной базы автомобильных чипов с годовым объемом производства 2 миллиардов единиц, а также научно-исследовательского института автомобильных чипов из карбида кремния. Ожидается, что после полного запуска в производство годовой объем производства достигнет примерно 1,8 млрд юаней.