Zhejiang Huzhou ievieš 1 miljarda SiC projektu

Nesen Zhejiang Huzhou Nantaihu Technology Venture Capital Group un SourceMicroelectronics veiksmīgi parakstīja SiC projekta investīciju līgumu, kura kopējā investīciju summa sasniedza 1 miljardu juaņu. Projekta mērķis ir izveidot automobiļu kvalitātes mikroshēmu ražošanas bāzi ar 2 miljardu vienību gada izlaidi un silīcija karbīda automobiļu kvalitātes mikroshēmu pētniecības institūtu. Paredzams, ka pēc tam, kad tas būs pilnībā nodots ražošanā, gada produkcijas vērtība sasniegs aptuveni 1,8 miljardus juaņu.