Zhejiang Huzhou predstavuje 1 miliardový projekt SiC

Nedávno spoločnosti Zhejiang Huzhou Nantaihu Technology Venture Capital Group a SourceMicroelectronics úspešne podpísali dohodu o investícii do projektu SiC, pričom celková výška investície dosiahla 1 miliardu juanov. Cieľom projektu je vytvoriť výrobnú základňu pre čipy automobilovej kvality s ročnou produkciou 2 miliárd jednotiek a výskumný ústav čipov automobilovej kvality z karbidu kremíka. Očakáva sa, že po úplnom uvedení do výroby dosiahne ročná výstupná hodnota približne 1,8 miliardy juanov.