Zhejiang Huzhou představuje projekt SiC v hodnotě 1 miliardy

Nedávno společnosti Zhejiang Huzhou Nantaihu Technology Venture Capital Group a SourceMicroelectronics úspěšně podepsaly smlouvu o investici do projektu SiC, přičemž celková výše investice dosáhla 1 miliardy juanů. Cílem projektu je vytvořit výrobní základnu pro čipy automobilové kvality s roční produkcí 2 miliard kusů a také výzkumný ústav čipů automobilové třídy z karbidu křemíku. Očekává se, že po úplném uvedení do výroby dosáhne hodnota roční produkce přibližně 1,8 miliardy juanů.