Zhejiang Huzhou прадстаўляе праект SiC коштам 1 мільярд

Нядаўна Zhejiang Huzhou Nantaihu Technology Venture Capital Group і SourceMicroelectronics паспяхова падпісалі інвестыцыйнае пагадненне аб праекце SiC, агульная сума інвестыцый якога дасягнула 1 мільярда юаняў. Праект накіраваны на стварэнне вытворчай базы аўтамабільных мікрасхем з гадавой прадукцыйнасцю 2 мільярды адзінак, а таксама навукова-даследчага інстытута аўтамабільных мікрасхем з карбіду крэмнію. Чакаецца, што пасля поўнага запуску вытворчасці гадавы аб'ём вытворчасці дасягне прыкладна 1,8 мільярда юаняў.