Zhejiang Huzhou pristato 1 mlrd. SiC projektą

Neseniai Zhejiang Huzhou Nantaihu Technology Venture Capital Group ir SourceMicroelectronics sėkmingai pasirašė SiC projekto investicijų sutartį, kurios bendra investicijų suma siekė 1 milijardą juanių. Projektu siekiama sukurti automobiliams skirtų lustų gamybos bazę, kurios metinė produkcija būtų 2 milijardai vienetų, taip pat silicio karbido automobiliams skirtų lustų tyrimų institutą. Tikimasi, kad visiškai pradėjus jį gaminti, metinė produkcijos vertė sieks maždaug 1,8 milijardo juanių.