Zhejiang Huzhou predstavlja projekt od 1 milijarde SiC-a

Nedavno su Zhejiang Huzhou Nantaihu Technology Venture Capital Group i SourceMicroelectronics uspješno potpisali sporazum o ulaganju u SiC projekt, s ukupnim iznosom ulaganja koji je dosegao milijardu juana. Projekt ima za cilj uspostaviti proizvodnu bazu za automobilske čipove s godišnjom proizvodnjom od 2 milijarde jedinica i istraživački institut za automobilske čipove od silicijevog karbida. Očekuje se da će nakon potpunog puštanja u proizvodnju godišnja vrijednost proizvodnje dosegnuti približno 1,8 milijardi juana.