وتخطط سامسونج لإنتاج الجيل السابع من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) بكميات كبيرة بحلول عام 2026

أعلنت شركة سامسونج في مارس من هذا العام أنها تخطط لتحقيق إنتاج ضخم من الجيل السابع من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) بحلول عام 2026. أما بالنسبة لسابقه، الجيل السادس (1c) DRAM، فمن المخطط أن يحقق الإنتاج الضخم في عام 2025. لذلك، تجري الاستعدادات لخط اختبار الجيل السابع هذا والإنتاج الضخم للجيل السادس من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) في وقت واحد.