Samsung Electronics establece una línea de prueba DRAM de séptima generación de 10 nm en la planta P2 de Pyeongtaek

Samsung Electronics ha establecido una línea de prueba de DRAM de séptima generación de nivel 10 nm (1d) en la fábrica P2 de Pyeongtaek. Esta línea de prueba es una instalación utilizada para probar el potencial de producción en masa de nuevos productos semiconductores. Una vez que se determina el rendimiento del chip de próxima generación durante la etapa de investigación y desarrollo, se introducirán aquí obleas para comenzar a mejorar el rendimiento de la producción en masa. Aunque la escala de la fábrica de DRAM de séptima generación de clase 10 nm de Samsung en Pyeongtaek no está clara actualmente, la línea de producción de prueba instalada habitualmente puede procesar aproximadamente 10.000 obleas por mes.