Samsung Electronics etabléiert 10nm siwenter Generatioun DRAM Testlinn bei Pyeongtaek P2 Planz

Samsung Electronics huet eng 10nm-Niveau (1d) siwenter Generatioun DRAM Testlinn an der Pyeongtaek P2 Fabréck etabléiert. Dës Testlinn ass eng Ariichtung déi benotzt gëtt fir d'Massproduktiounspotenzial vun neie Halbleiterprodukter ze testen Wann d'Performance vun der nächster Generatioun Chip während der Fuerschungs- an Entwécklungsstadium bestëmmt gëtt, wäerten d'Waferen hei agefouert ginn fir d'Massproduktiounsausbezuelen ze verbesseren. Och wann d'Skala vum Samsung Pyeongtaek 10nm-Klass siwenter Generatioun DRAM Fabréck am Moment onkloer ass, kann déi normalerweis installéiert Testproduktiounslinn ongeféier 10,000 Wafer pro Mount veraarbechten.