Samsung Electronics omopyenda línea de prueba DRAM séptima generación 10nm planta Pyeongtaek P2-pe

Samsung Electronics omopyenda línea de prueba DRAM séptima generación nivel 10nm (1d) planta Pyeongtaek P2-pe. Ko línea de producción de prueba ha'e peteî instalación ojeporúva oproba haguã potencial de producción masiva umi producto semiconductor pyahu Ojekuaa rire rendimiento chip generación oúva etapa de investigación ha desarrollo jave, oñemoîta ko'ápe oblea oñepyrû haguã omohenda porãve rendimiento producción masiva. Jepénte ko'ágã nahesakãi escala fábrica DRAM séptima generación clase 10nm Samsung-gua, línea de producción prueba instalada jepiguáicha ikatúva oprocesa haimete 10.000 oblea por mes.