Ningbo Hesheng New Materials Co., Ltd. rodo 6–8 colių laidus silicio karbido substratus ir epitaksines plokšteles

Ningbo Hesheng New Materials Co., Ltd. parodoje demonstravo 6–8 colių laidžius silicio karbido pagrindus ir epitaksines plokšteles. Įmonė buvo įkurta 2018 m. ir daugiausia dėmesio skiria trečios kartos puslaidininkinių S1C substratų ir epitaksinių plokštelių tyrimams ir plėtrai. Šiuo metu ji stato laidžius 6 colių ir 8 colių silicio karbido pagrindus ir epitaksinių plokštelių gamybos linijas.