Ningbo Hesheng New Materials Co., Ltd. သည် 6-8 လက်မလျှပ်ကူးဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာများနှင့် epitaxial wafers များကိုပြသသည်

Ningbo Hesheng New Materials Co., Ltd. သည် ပြပွဲတွင် 6-8-inch conductive silicon carbide substrates နှင့် epitaxial wafers များကို ပြသခဲ့သည်။ ကုမ္ပဏီသည် 2018 ခုနှစ်တွင် စတင်တည်ထောင်ခဲ့ပြီး R&D၊ တတိယမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း S1C အလွှာနှင့် epitaxial wafers များ ထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့် ရောင်းချခြင်းအပေါ် အာရုံစိုက်ထားပြီး ၎င်းသည် လက်ရှိတွင် လျှပ်ကူးနိုင်သော 6 လက်မနှင့် 8 လက်မစီလီကွန်ကာဘိုင်အလွှာများနှင့် epitaxial wafer ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းများကို တည်ဆောက်လျက်ရှိသည်။