Projekt Huaxia Semiconductor GaN smjestio se u Ningbo

Dana 19. travnja, Huaxia Semiconductor uspješno je potpisao ugovor s Beilun Development Zone Digital Economy Development Bureau za izvođenje GaN projekata u Ningbou. Huaxia Semiconductor fokusiran je na istraživanje i razvoj te proizvodnju poluvodičkih integriranih sklopova, uključujući proizvode kao što su elementarni metali visoke čistoće i spojevi visoke čistoće.