Kerui Semiconductor kiirendab SiC pakendite ehitamist ja tootmisliinide katsetamist

Kerui Semiconductor edendab oma kolmanda põlvkonna pooljuhtide ja muude toiteseadmete tihendus- ja testimisliinide uuendamist ning käivitas juunis IGBT ja SiC põhiprotsesside sulgemise ja katsetamise tootmisliinide ehitusprojektide esimese etapi. Ettevõtte tootmisjuht Tang Jiao ütles, et pärast projekti tootmisse laskmist ulatub aastane toodangu väärtus 80 miljoni jüaanini ja tootmisvõimsus kasvab 25%. Ettevõtte tänavused tellimused on olnud küllastunud ning tooteid tarnitakse peamiselt Pärlijõe delta piirkonna klientidele.