ໂປຣເຈັກຊິບຕົວກອງ RF Sound Semiconductor ໃໝ່ເປີດຕົວ

ໂຄງການຊິບການກັ່ນຕອງ RF Xinsheng Semiconductor ໄດ້ຖືກເປີດຕົວໃນເຂດເຕັກໂນໂລຢີສູງຊູໂຈວໃນວັນທີ 20 ມັງກອນນີ້. ໂຄງການດັ່ງກ່າວຈະແນະນໍາສາຍການຜະລິດແບບພິເສດສໍາລັບໂຄງການຊິບ semiconductor ລະດັບສູງແລະກໍ່ສ້າງສໍານັກງານໃຫຍ່ Xisheng Semiconductor ໃນເຂດເຕັກໂນໂລຢີສູງ Suzhou. Xinsheng Semiconductor ຈະນໍາໃຊ້ເຕັກໂນໂລຢີກ້າວຫນ້າຂອງຕົນເອງເພື່ອຜະລິດຊິບການກັ່ນຕອງຄວາມຖີ່ວິທະຍຸໃນໂຮງງານ wafer, ດ້ວຍຜົນຜະລິດປະຈໍາປີຄາດວ່າຈະບັນລຸ 3.6 ຕື້.