គម្រោងបន្ទះឈីបតម្រង RF សំឡេង Semiconductor ថ្មីបានចាប់ផ្តើម

គម្រោងបន្ទះឈីបតម្រង Xinsheng Semiconductor RF ត្រូវបានចាប់ផ្តើមនៅក្នុងតំបន់បច្ចេកវិទ្យាខ្ពស់ Suzhou នៅថ្ងៃទី 20 ខែមករា។ គម្រោងនេះនឹងណែនាំខ្សែសង្វាក់ផលិតកម្មកម្រិតខ្ពស់សម្រាប់គម្រោងបន្ទះឈីប semiconductor កម្រិតខ្ពស់ និងសាងសង់ទីស្នាក់ការកណ្តាល Xisheng Semiconductor នៅក្នុងតំបន់បច្ចេកវិទ្យាខ្ពស់ Suzhou ។ Xinsheng Semiconductor នឹងប្រើប្រាស់បច្ចេកវិទ្យាទំនើបរបស់ខ្លួនដើម្បីផលិតបន្ទះឈីបតម្រងប្រេកង់វិទ្យុនៅក្នុងរោងចក្រ wafer ជាមួយនឹងទិន្នផលប្រចាំឆ្នាំរំពឹងថានឹងកើនឡើងដល់ 3.6 ពាន់លាន។