Haining Liangdongxin 6-tommer mikrobølge RF-chipprojekt lanceret officielt

Haining Liangdongxins 6-tommer mikrobølge RF-chipprojekt blev officielt lanceret den 23. december. Projektet planlægger en samlet investering på 5 milliarder yuan, der dækker produktområder såsom 6-tommer galliumarsenid mikrobølgeradiofrekvenschips (GaAs), galliumnitrid (GaN HEMT) og vertikale hulrumsoverfladelasere (VCSEL).