Званично је покренут пројекат Хаининг Лиангдонгкин 6-инчног микроталасног РФ чипа

Хаининг Лиангдонгкин-ов пројекат микроталасног РФ чипа од 6 инча званично је покренут 23. децембра. Пројекат планира укупну инвестицију од 5 милијарди јуана, која покрива области производа као што су 6-инчни микроталасни радиофреквентни чипови од галијум арсенида (ГаАс), галијум нитрид (ГаН ХЕМТ) и ласери са вертикалном шупљином (ВЦСЕЛ).