Projekt Haining Liangdongxin 6-inčnog mikrovalnog RF čipa službeno pokrenut

Haining Liangdongxin projekt 6-inčnog mikrovalnog RF čipa službeno je pokrenut 23. prosinca. Projekt planira ukupnu investiciju od 5 milijardi juana, pokrivajući područja proizvoda kao što su 6-inčni mikrovalni radiofrekvencijski čipovi (GaAs), galijev nitrid (GaN HEMT) i površinski laseri s vertikalnom šupljinom (VCSEL).