Hope Electric osaleb aktiivselt ränikarbiidi tehnoloogia uurimis- ja arendustegevuses

Hope Electric osaleb aktiivselt peamistes tehnoloogiauuringute projektides Shenzhenis, uurides fotogalvaaniliste inverterirakendustel põhinevate kõrge ristmikutemperatuuriga SiC MOSFET-pakendite võtmetehnoloogiaid. Eeldatakse, et see projekt edendab fotogalvaanilise elektritootmise tõhususe parandamist ja vähendab fotogalvaanilise energia tootmise kulusid.