Un equipo de la Universidad de Pekín desarrolla un dispositivo de energía basado en GaN con un voltaje de ruptura superior a 10.000 voltios

Ante los desafíos que plantean los efectos de trampa de alto campo y los efectos de agregación de campos eléctricos, un equipo de investigación de la Universidad de Pekín propuso un nuevo tipo de transistor de pasivación activa y desarrolló con éxito un dispositivo de potencia basado en GaN en modo mejorado con un voltaje de ruptura superior a 10.000 voltios. Este logro es el primero de su tipo en el mundo y es de gran importancia para promover la aplicación de dispositivos de energía basados ​​en GaN.