Il team dell'Università di Pechino sviluppa un dispositivo di alimentazione basato su GaN con tensione di rottura superiore a 10.000 volt

Di fronte alle sfide poste dagli effetti di trappola ad alto campo e dagli effetti di aggregazione del campo elettrico, un gruppo di ricerca dell'Università di Pechino ha proposto un nuovo tipo di transistor di passivazione attiva e ha sviluppato con successo un dispositivo di potenza basato su GaN in modalità di miglioramento con una tensione di rottura superiore a 10.000 volt. Questo risultato è il primo del suo genere al mondo ed è di grande importanza per promuovere l’applicazione di dispositivi di potenza basati su GaN.