Forbraíonn foireann Ollscoil Peking gléas cumhachta bunaithe ar GaN le voltas miondealaithe níos mó ná 10,000 volta

Ag tabhairt aghaidh ar na dúshláin a bhaineann le héifeachtaí gaiste ard-réimse agus éifeachtaí comhiomlánaithe réimse leictrigh, mhol foireann taighde ó Ollscoil Peking cineál nua trasraitheora gníomhach pasivation agus d'éirigh leo feiste cumhachta bunaithe ar mhodh feabhsaithe GaN a fhorbairt le voltas miondealaithe níos mó ná 10,000. volta. Is é an éacht seo an chéad cheann dá leithéid ar domhan agus tá tábhacht mhór leis maidir le cur i bhfeidhm feistí cumhachta GaN-bhunaithe a chur chun cinn.