Η ομάδα του Πανεπιστημίου του Πεκίνου αναπτύσσει συσκευή ισχύος βασισμένη σε GaN με τάση διάσπασης μεγαλύτερη από 10.000 βολτ

Αντιμέτωπη με τις προκλήσεις που τίθενται από τα εφέ παγίδας υψηλού πεδίου και τα φαινόμενα συσσώρευσης ηλεκτρικού πεδίου, μια ερευνητική ομάδα από το Πανεπιστήμιο του Πεκίνου πρότεινε έναν νέο τύπο τρανζίστορ ενεργού παθητικοποίησης και ανέπτυξε με επιτυχία μια συσκευή τροφοδοσίας βασισμένη σε GaN σε λειτουργία βελτίωσης με τάση διάσπασης μεγαλύτερη από 10.000 βολτ. Αυτό το επίτευγμα είναι το πρώτο του είδους του στον κόσμο και έχει μεγάλη σημασία για την προώθηση της εφαρμογής συσκευών ισχύος που βασίζονται σε GaN.