Peking University-teamet utvikler GaN-basert kraftenhet med sammenbruddsspenning større enn 10 000 volt
Saida Semiconductor
galliumnitrid
De
De
ringe
transistor
forske
base
ringe
Sti
elektrisk
verden
utfordring
utvikle
2024-12-25 22:46
0
Stilt overfor utfordringene fra høyfeltsfelleeffekter og elektriske feltaggregeringseffekter, foreslo et forskerteam fra Peking University en ny type aktiv passiveringstransistor og utviklet med suksess en forbedringsmodus GaN-basert kraftenhet med en sammenbruddsspenning større enn 10 000 volt. Denne prestasjonen er den første i sitt slag i verden og er av stor betydning for å fremme bruken av GaN-baserte kraftenheter.
