Тим Универзитета у Пекингу развија уређај за напајање базиран на ГаН са напоном квара већим од 10.000 волти

Суочен са изазовима које представљају ефекти замке високог поља и ефекти агрегације електричног поља, истраживачки тим са Универзитета у Пекингу предложио је нови тип транзистора за активну пасивизацију и успешно развио уређај за напајање на бази ГаН-а са пробојним напоном већим од 10.000 волти. Ово достигнуће је прво те врсте у свету и од великог је значаја за промовисање примене енергетских уређаја на бази ГаН.