Pekinas Universitātes komanda izstrādā uz GaN balstītu barošanas ierīci ar pārrāvuma spriegumu, kas lielāks par 10 000 voltiem

Saskaroties ar izaicinājumiem, ko rada liela lauka slazda efekti un elektriskā lauka agregācijas efekti, Pekinas Universitātes pētnieku grupa ierosināja jauna veida aktīvās pasivēšanas tranzistoru un veiksmīgi izstrādāja uzlabošanas režīma uz GaN balstītu barošanas ierīci ar pārrāvuma spriegumu, kas lielāks par 10 000. volti. Šis sasniegums ir pirmais šāda veida sasniegums pasaulē, un tam ir liela nozīme, lai veicinātu uz GaN balstītu barošanas ierīču pielietojumu.