A Pekingi Egyetem csapata 10 000 voltnál nagyobb áttörési feszültségű GaN-alapú tápegységet fejleszt

A nagy térerejű csapda-effektusok és az elektromos mező-aggregációs hatások által támasztott kihívásokkal szemben a Pekingi Egyetem kutatócsoportja új típusú aktív passzivációs tranzisztort javasolt, és sikeresen kifejlesztett egy 10 000-nél nagyobb letörési feszültségű, GaN-alapú továbbfejlesztett üzemmódú tápegységet. volt. Ez az első ilyen eredmény a világon, és nagy jelentőséggel bír a GaN alapú áramforrások alkalmazásának elősegítésében.