Команда Пекінського університету розробляє пристрій живлення на основі GaN з напругою пробою понад 10 000 вольт

Зіткнувшись із проблемами, пов’язаними з ефектами пастки високого поля та ефектами агрегації електричного поля, дослідницька група з Пекінського університету запропонувала новий тип транзистора з активною пасивацією та успішно розробила пристрій живлення на основі GaN у режимі посилення з напругою пробою понад 10 000 вольт. Це досягнення є першим у своєму роді у світі та має велике значення для просування застосування силових пристроїв на основі GaN.