ပီကင်းတက္ကသိုလ်အဖွဲ့သည် 10,000 ဗို့ထက်ကြီးသော ပြိုကွဲဗို့အားရှိသော GaN-based ဓာတ်အားပေးစက်ကို တီထွင်

high-field trap effect နှင့် electric field aggregation effects တို့၏ စိန်ခေါ်မှုများနှင့် ရင်ဆိုင်ရပြီးနောက် Peking University မှ သုတေသနအဖွဲ့မှ active passivation transistor အမျိုးအစားအသစ်ကို အဆိုပြုကာ 10,000 ထက်ပိုသော breakdown voltage ရှိသော စွမ်းဆောင်ရည်မြှင့်မုဒ် GaN-based ပါဝါကိရိယာကို အောင်မြင်စွာတီထွင်နိုင်ခဲ့ပါသည်။ ဗို့ ဤအောင်မြင်မှုသည် ကမ္ဘာပေါ်တွင် ပထမဆုံးသော အောင်မြင်မှုဖြစ်ပြီး GaN-based ပါဝါစက်ပစ္စည်းများ၏ အသုံးချမှုကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။