ທີມງານມະຫາວິທະຍາໄລປັກກິ່ງພັດທະນາອຸປະກອນໄຟຟ້າທີ່ໃຊ້ GaN ທີ່ມີແຮງດັນໄຟຟ້າຫຼາຍກວ່າ 10,000 ໂວນ

ປະເຊີນກັບສິ່ງທ້າທາຍທີ່ເກີດຈາກຜົນກະທົບໃສ່ກັບດັກພາກສະຫນາມສູງແລະຜົນກະທົບຂອງການລວບລວມພາກສະຫນາມໄຟຟ້າ, ທີມງານຄົ້ນຄ້ວາຈາກວິທະຍາໄລປັກກິ່ງໄດ້ສະເຫນີປະເພດໃຫມ່ຂອງ transistor passivation ການເຄື່ອນໄຫວແລະສົບຜົນສໍາເລັດການພັດທະນາອຸປະກອນພະລັງງານ GaN ຮູບແບບການປັບປຸງທີ່ມີແຮງດັນແຕກຫັກຫຼາຍກ່ວາ 10,000. volts. ຜົນສໍາເລັດນີ້ແມ່ນເປັນຄັ້ງທໍາອິດຂອງໂລກແລະມີຄວາມສໍາຄັນອັນໃຫຍ່ຫຼວງສໍາລັບການສົ່ງເສີມການນໍາໃຊ້ອຸປະກອນໄຟຟ້າທີ່ໃຊ້ GaN.